Fundraising September 15, 2024 – October 1, 2024
About fundraising
books search
books
Fundraising:
22.1% raised
Log In
Log In
to access more features
personal recommendations
Telegram Bot
download history
send to Email or Kindle
manage booklists
save to favorites
Personal
Book Requests
Explore
Z-Recommend
Booklists
Most Popular
Categories
Contribution
Donate
Uploads
Litera Library
Donate paper books
Add paper books
Search paper books
Open LITERA Point
Terms search
Main
Terms search
search
1
Мікроелектроніка. Елементи мікроелектроніки. Частина 1
Вища школа
Прищепа М.М.
,
Погребняк В.П.
рис
заряду
області
типу
транзистора
напруги
носіїв
переходу
струм
імс
електронів
силіцію
мдн
умов
струму
каналу
зміщення
провідності
значення
транзисторів
напруга
бази
напівпровідника
концентрація
стоку
база
поверхні
дірок
неосновних
областей
домішки
область
опз
gst
можемо
поля
діода
коефіцієнт
товщина
електричного
мкм
перехід
ємність
оскільки
напругу
фермі
використовують
формулою
si02
основи
Year:
2004
Language:
ukrainian
File:
DJVU, 5.26 MB
Your tags:
0
/
0
ukrainian, 2004
2
Екситоніка низькорозмірних систем
Шпак А.П.
,
Куницький Ю.А.
,
Смик С.Ю.
поверхні
рис
атомів
силіцію
електронів
станів
енергія
квантових
gaas
шару
зв’язку
напівпровідника
зони
енергії
поверхневих
екситона
фази
електрона
структури
шарів
області
зростання
напівпровідникових
поверхневої
ями
електрони
оскільки
підкладки
властивості
дірки
атоми
екситонів
провідності
квантові
структур
дірок
межі
істотно
відбувається
квантової
поглинання
хрому
взаємодії
значення
поверхнева
силіцій
системи
заряду
скт
спектр
Language:
ukrainian
File:
PDF, 2.05 MB
Your tags:
0
/
0
ukrainian
3
Мікроелектроніка. Елементи мікросхем. Збірник задач. Навчальний посібник
Вища школа
Прищепа М.М.
,
Погребняк В.П.
визначають
струм
області
переходу
типу
транзистора
розраховують
електронів
заряду
виразом
носіїв
формулою
зміщення
коефіцієнт
значення
напруга
дірок
розрахувати
насичення
температури
визначити
неосновних
умов
мкм
опір
конденсатора
база
бази
рис
колектора
домішки
товщина
резистора
концентрація
емітера
обчислюють
відносна
струму
розміри
діода
ємність
концентрації
напруги
довжина
спіралі
витік
колектор
похибка
прямого
силіції
Year:
2005
Language:
ukrainian
File:
DJVU, 2.64 MB
Your tags:
0
/
0
ukrainian, 2005
4
Хімія. 10 клас. Підручник для загальноосвітніх навчальних закладів
Перун
Буринська Н.М.
,
Величко Л.П.
карбону
речовин
речовини
кислоти
моль
реакції
властивості
сульфуру
сн2
газ
оксид
атомів
рівняння
сн3
s02
аміаку
сполук
солі
кислота
сполуки
утворюється
реакцій
молекули
складу
органічних
вигляді
вугілля
метану
нітрогену
напишіть
газу
натрію
оксиду
природі
фосфор
ї
воді
відбувається
сі
кальцію
хімічні
амонію
використовують
добування
нафти
силіцію
вуглеводнів
с02
сульфатної
водою
Year:
2004
Language:
ukrainian
File:
DJVU, 8.45 MB
Your tags:
0
/
0
ukrainian, 2004
1
Follow
this link
or find "@BotFather" bot on Telegram
2
Send /newbot command
3
Specify a name for your chatbot
4
Choose a username for the bot
5
Copy an entire last message from BotFather and paste it here
×
×